收藏本站
Si4390DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.6
200
0.4
160
0.2
0.0
- 0.2
I D = 250 μA
120
80
- 0.4
40
- 0.6
- 0.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
R DS(on)*
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
10
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 68 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72150
S11-0209-Rev. F, 14-Feb-11
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4396DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4398DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
SI4404DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4406DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4410DY MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
SI4411DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4420-D1-FT IC TXRX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4420DYTR MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4392ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 21.5A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4392DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET㈢
SI4392DY-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4392DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4394DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4394DY_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET